МЕНЮ Высокие технологии для лучшей жизни
RU
Выбрать язык
CN BY EN
Полупроводниковые приборы устойчивые к СВВФ

Полупроводниковые приборы устойчивые к СВВФ

Меню раздела Выбрать параметры Заказать выбранное
Обозначение Прототип Функциональное назначение Тип корпуса Диапазон температур Ic max, A Iимп.макс, А Iпр.макс , А I обр., мА Кол-во элементов P max, Вт Q (пКл) [tвос (нс)] Rси, Oм Схема соединения Uобр. макс, В Uпр., В (при Iпр., А) Uси max, В Uзи max, В Uзи пор, В
2Д918Г-1, 2Д918Г-1Н     б/к -60 ÷ +125°С     50 5 4   850   Общий анод 40 1      
2Д918Б-1, 2Д918Б-1Н     б/к -60 ÷ +125°С     50 5 2   850   Общий анод 40 1      
2Д907Г-1, 2Д907Г-1Н     б/к -60 ÷ +125°С     50 5 4   500   Общий катод 40 1      
2Д907Б-1, 2Д907Б-1Н     б/к -60 ÷ +125°С     50 5 2   500   Общий катод 40 1      
2ДШ2121А-5/ИМ     б/к     50 5 0,2           100 0,8 (5,0)      
2ДШ2121АС/ИМ     КТ-9 -60 +125 °С   50 5 0,2           100 0,8 (5,0)      
2ДС628А, ОСМ2ДС628А     402.12-2 -60 +125 °С     300 5 16   [50]   Общий катод + общий анод 50 0,95...1,25      
2Д917А1     Н04.16-2В -60 +125 °С     200 5 8   [50]   Общий анод 50 0,87...1,17      
2Д917А     4112.12-1 -60 +125 °С     200 5 8   [50]   Общий анод 50 0,87...1,17      
2Д908А1     Н04.16-2В -60 +125 °С     200 5 8   [30]   Общий катод 50 1,2      
2Д908А     4112.12-1 -60 +125 °С     200 5 8   [30]   Общий катод 50 1,2      
2ДС627А, ОСМ2ДС627А     401.16-3, 40106.16-1

 
-60 +125 °С     200 2 8   [40]   Изолированые диоды 50 0,85...1,15      
2ДШ142АС9     КТ-46A -60 +100 °С   0,07 0,05 0,01           18 0,57 (0,05)      
2ДШ142А9     КТ-46A -60 +100 °С   0,07 0,05 0,01           18 0,57 (0,05)      
2С487А-Т   Серия стабилитронов предназначена для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                              
2Д814А1   Импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                              
2Д814А   Импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-3                              
2Д695В   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                              
2Д695Б   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                              
2Д695А   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                              
2П7239А-5 FQP5N80   б/к -60 ÷ +125°С 4,7         125   2,60       800 ±20 2,0÷4,5
2П7239А FQP5N80   КТ-97В -60 ÷ +125°С 4,7         125   2,60       800 ±20 2,0÷4,5
2П7238А-5 IRF830   б/к -60 ÷ +125°С 4,5         75   1,65       500 ±20 2,0÷4,5
2П7238А IRF830   КТ-97В -60 ÷ +125°С 4,5         75   1,65       500 ±20 2,0÷4,5
2П7237А-5 IRF540   б/к -60 ÷ +125°С 25         100   0,065       100 ±20 2,0÷4,5
2П7237А IRF540   КТ-97В -60 ÷ +125°С 25         100   0,065       100 ±20 2,0÷4,5
2П7236А-5 FQP50N06   б/к -60 ÷ +125°С 35         100   0,032       60 ±20 2,0÷4,5
2П7236А FQP50N06   КТ-97В -60 ÷ +125°С 35         100   0,032       60 ±20 2,0÷4,5
2П7233А-5     б/к -60 ÷ +125°С 40         150   0,03       60 ±10 1,0...2,0
2П7233А     КТ-97В -60 +125 °С 40         150   0,03       60 ±10 1,0...2,0

Задать вопрос