МЕНЮ Высокие технологии для лучшей жизни
RU
Выбрать язык
CN BY EN
Полупроводниковые приборы устойчивые к СВВФ

Полупроводниковые приборы устойчивые к СВВФ

Меню раздела Выбрать параметры Заказать выбранное
Обозначение Прототип Функциональное назначение Тип корпуса Диапазон температур Ic max, A Iимп.макс, А Iкэк, мА Iк max, мА Iпр.макс , А I обр., мА Кол-во элементов P max, Вт Q (пКл) [tвос (нс)] Рк max, Вт Rси, Oм Схема соединения Uэб max, В Uкэ max, В Uкэ нас, В Uобр. макс, В Uпр., В (при Iпр., А) Uси max, В Uзи max, В Uзи пор, В
2Д510А   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-3                                          
2Д522Б   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-3                                          
2Д695А   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                          
2Д695Б   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                          
2Д695В   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                          
2Д814А   Импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-3                                          
2Д814А1   Импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                          
2Д907Б-1, 2Д907Б-1Н     б/к -60 ÷ +125°С         50 5 2   500     Общий катод       40 1      
2Д907Г-1, 2Д907Г-1Н     б/к -60 ÷ +125°С         50 5 4   500     Общий катод       40 1      
2Д908А     4112.12-1 -60 +125 °С         200 5 8   [30]     Общий катод       50 1,2      
2Д908А1     Н04.16-2В -60 +125 °С         200 5 8   [30]     Общий катод       50 1,2      
2Д917А     4112.12-1 -60 +125 °С         200 5 8   [50]     Общий анод       50 0,87...1,17      
2Д917А1     Н04.16-2В -60 +125 °С         200 5 8   [50]     Общий анод       50 0,87...1,17      
2Д918Б-1, 2Д918Б-1Н     б/к -60 ÷ +125°С         50 5 2   850     Общий анод       40 1      
2Д918Г-1, 2Д918Г-1Н     б/к -60 ÷ +125°С         50 5 4   850     Общий анод       40 1      
2ДС627А, ОСМ2ДС627А     401.16-3, 40106.16-1

 
-60 +125 °С         200 2 8   [40]     Изолированые диоды       50 0,85...1,15      
2ДС628А, ОСМ2ДС628А     402.12-2 -60 +125 °С         300 5 16   [50]     Общий катод + общий анод       50 0,95...1,25      
2ДШ142А9     КТ-46A -60 +100 °С   0,07     0,05 0,01                   18 0,57 (0,05)      
2ДШ142АС9     КТ-46A -60 +100 °С   0,07     0,05 0,01                   18 0,57 (0,05)      
2ДШ2121А-5/ИМ     б/к     50     5 0,2                   100 0,8 (5,0)      
2ДШ2121АС/ИМ     КТ-9 -60 +125 °С   50     5 0,2                   100 0,8 (5,0)      
2Е802А-5 IRG4DC30   б/к       0,25 23           50     ±20 600 2,7          
2П524А-5     КТ-99-1 -60 +125 °С 1,4             1     1             60 ±10 1,0...2,0
2П524А9     КТ-99-1 -60 +125 °С 1,4             1     1             60 ±10 1,0...2,0
2П525А-5     б/к   1,14             3     1,4             100 ±10 1,5…2,5
2П525А9     КТ-99-1 -60 +125 °С 1,14             3     1,4             100 ±10 1,5…2,5
2П7145А-5/ИМ IRFP250   б/к   30             150     0,1             200 ±20 2,0...4,0
2П7145А/ИМ IRFP250   КТ-9 -60 +100 °С 30             150     0,085             200 ±20 2,0...4,0
2П7145А1/ИМ IRFP250   КТ-97С -60 +100 °С 30             150     0,085             200 ±20 2,0...4,0
2П7145Б/ИМ IRFP250   КТ-9 -60 +100 °С 26             150     0,1             200 ±20 2,0...4,0

Задать вопрос