RU
CN
BY
EN
Электронная компонентная база устойчивая к СВВФ
|
Обозначение | Прототип | Функциональное назначение | Тип корпуса | Диапазон температур | Выходной ток, Iвых, A | Напряжение катод-анод (Uка max), В | Напряжение питания, В | Напряжение стабилизации (Uk min), В, (не более) | Напряжение стабилизации (Uk min), В, (не менее) | Организация, бит | Ток катода (Iк), мА, (не более) | Ток катода (Iк), мА, (не менее) | Ток потребления Iсс, мА,не более | Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более | UUcc,В | Напряжение насыщения Uнас, не более, В | Входное напряжение, Uвх, В | Выходное напряжение, Uвых, В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1675РТ014 | 1675РТ014 | Постоянное запоминающее устройство информационной емкостью 1Мбит (128К×8 бит) с возможностью однократного программирования, UCC = 3,0В ÷ 3,6В | 4149.36-1 | от -60°С до + 125°С; | 3,3B±10% | 60 | 0,8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1252ЕР1Т | LM117 | Регулируемый стабилизатор напряжения положительной полярности с расширенным диапазоном температур. (Uвх - Uвых = 3,0...40В; Iвых =1,5 А) | 4116.4-3 | -60...+125 °С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
512ПС8 | Временное устройство с коррекцией | 402.16-23 | -60 +85 °С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
512ПС6 | Временное устройство с переменным коэффициентом деления | 401.14-5М | -60 +85 °С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
512ПС5 | Временное устройство с переменным коэффициентом деления | 401.14-5М | -60 +85 °С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1623PT2Б | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит) | 4119.28-6 | -60 +85 °С | 8192 х 8 | 50 | 0,04 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1623РТ2А | HM6664 | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит) | 4119.28-6 | -60 +85 °С | 8192 х 8 | 50 | 0,04 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
М1623РТ1Б | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) | 210Б.24-1 | -60 +85 °С | 2048 х 8 | 0,04 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
M1623PT1A | HM6616 | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) | 210Б.24-1 | -60 +85 °С | 2048 х 8 | 0,04 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
537РУ14Б | Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) | 427.18-2.03 | -60 +85 °С | 4096 х 1 | 35 | 0,005 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
537РУ14А | Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) | 427.18-2.03 | -60 +85 °С | 4096 х 1 | 35 | 0,005 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
537РУ13 | Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) | 427.18-2.03 | -60 +85 °С | 1024 х 4 | 60 | 0,01 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
537РУ3Б | Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) | 427.18-2.03 | -60 +85 °С | 4096 х 1 | 20 | 0,001 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
537РУ3A | Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) | 427.18-2.03 | -60 +85 °С | 4096 х 1 | 20 | 0,001 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1617РУ14Б | Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) | 427.18-1.02 | -60 +85 °С | 4096 х 1 | 55 | 0,001 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1617РУ14А | Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К х 1 бит) | 427.18-1.02 | -60 +85 °С | 4096 х 1 | 55 | 0,001 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1617РУ13Б | Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) | 427.18-1.02 | -60 +85 °С | 1024 х 4 | 55 | 0,001 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1617РУ13A | Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) | 427.18-1.02 | -60 +85 °С | 1024 х 4 | 55 | 0,001 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1114ЕУ10УИМ | UC3845 | Схема ШИМ – контроллера с обратной связью по току и напряжению | Н02.8-2В | -60 +125 °С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1114ЕУ9УИМ | UC3844 | Схема ШИМ – контроллера с обратной связью по току и напряжению | Н02.8-2В | -60 +125 °С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1114ЕУ8УИМ | UC3843 | Схема ШИМ – контроллера с обратной связью по току и напряжению | Н02.8-2В | -60 +125 °С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1114ЕУ7УИМ | UC3842 | Схема ШИМ – контроллера с обратной связью по току и напряжению | Н02.8-2В | -60 +125 °С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1244ЕН5Т | MС7805 | Линейный стабилизатор напряжения положительной полярности с расширенным диапазоном температур: UВХ = 7,5В ÷ 15В; UВЫХ = 5,0В; IВЫХ = 1,5А | 4116.4-3 | -60 +125 °С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1264ЕP1АП1ИМ | LT1083 | Регулятор напряжения с низким напряжением насыщения регулируемый: Uвх = 2,95В ÷ 7,25В; Uвых = 1,25В ÷ 12В; Iвых = 7,0А; Uнас ≤ 1,7В | КТ-97В | -60 +125 °С | 7,0 | 1,7 | 2,95 ÷ 7,25 | 1,25 ÷ 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1264ЕР1АПИМ | LT1083 | Регулятор напряжения с низким напряжением насыщения регулируемый: Uвх = 2,95В ÷ 7,25В; Uвых = 1,25В ÷ 12В; Iвых = 7,0А; Uнас ≤ 1,7В | КТ-9 | -60 +125 °С | 7,0 | 1,7 | 2,95 ÷ 7,25 | 1,25 ÷ 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
142ЕР2УИМ | TL432 | Регулируемый стабилитрон Минимальное напряжение стабилизации: Uкmin = 1,228В ÷ 1,252В Максимальное напряжение катод-анод: Uкаmax = 16В Ток катода: Iк = 1,0мА ÷ 100мА |
Н02.8-2В | -60 +125 °С | 16 | 1,252 | 1,228 | 100 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
142ЕР1ТИМ | TL431 | Регулируемый стабилитрон Минимальное напряжение стабилизации: Uкmin = 2,47В ÷ 2,52В Максимальное напряжение катод-анод: Uкаmax = 36В Ток катода: Iк = 1,0мА ÷ 100мА | 4601.3-1 | -60 +125 °С | 36 | 2,52 | 2,47 | 100 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
142ЕР1УИМ | TL431 | Регулируемый стабилитрон Минимальное напряжение стабилизации: Uкmin = 2,47В ÷ 2,52В Максимальное напряжение катод-анод: Uкаmax = 36В Ток катода: Iк = 1,0мА ÷ 100мА |
Н02.8-2В | -60 +125 °С | 36 | 2,52 | 2,47 | 100 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
512ПС11 | Преобразователь “Частота-код” | 429.42-5 | -60 +125 °С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
588ИР2 | 12-разрядный адресный регистр | 4119.28-1.01 | -60 +125 °С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||