МЕНЮ Высокие технологии для лучшей жизни
RU
Выбрать язык
CN BY EN
Мощные N-канальные полевые c изолированным затвором транзисторы (MOSFET)

Мощные N-канальные полевые c изолированным затвором транзисторы (MOSFET)

Выбрать параметры Заказать выбранное
Обозначение Прототип Функциональное назначение Тип корпуса
IFD1N80 WFD1N80 N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А D-PAK
IFD2N60 WFD2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А D-PAK
IFU2N60 WFU2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А I-PAK
IZ024N IRFU024N N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А б/к
IFP7N60 WFP7N60 N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А TO-220/3
IFF2N60 WFF2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А TO-220FP
IFP2N60 STP2NC60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А TO-220/3
IZ7N65**   N – канальный транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А б/к
IZ4N65**   N – канальный транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А б/к
IZ2N65**   N – канальный транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А б/к
IZ3N80**   N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А б/к
IZ9N90**   N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А б/к
IZ12N60**   N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А б/к
IZ10N60**   N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А б/к
IZ12N65**   N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А б/к
IZ1N65**   N – канальный транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А б/к
IZ10N80**   N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А б/к
IFU1N80 WFU1N80 N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А I-PAK
IFP1N80 WFP1N80 N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А TO-220/3
IZ11N90**   N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А б/к
IZ630**   N – канальный транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 А б/к
IZ634**   N – канальный транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 А б/к
IFP730 WFP730 N – канальный транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 А TO-220/3
IFP840 WFP840 N – канальный транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 А TO-220/3
IFP830 WFP830 N – канальный транзистор 500 В; 1,400 Ом – 5 А TO-220/3
IZ85N06**   N – канальный транзистор 60 В; 0,012 Ом – 85 А б/к
IZ70N06**   N – канальный транзистор 60 В; 0,015 Ом – 70 А б/к
IFP50N06* WFP50N06 N – канальный транзистор 60 В; 0,022 Ом – 50 А TO-220/3
IZ40N60**   N – канальный транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 А б/к
IZ28N60**   N – канальный транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 А б/к

Задать вопрос