МЕНЮ Высокие технологии для лучшей жизни
RU
Выбрать язык
CN BY EN
Запоминающие устройства Серии 541; 537; 1632; 1675РТ014; 1676РТ015; 1623; 1617; 1635; 1644; 1642; 1669; 9000; 1835PE2Т; 9001РТ1У; 1659РУ1Т; 1666РЕ014

Запоминающие устройства Серии 541; 537; 1632; 1675РТ014; 1676РТ015; 1623; 1617; 1635; 1644; 1642; 1669; 9000; 1835PE2Т; 9001РТ1У; 1659РУ1Т; 1666РЕ014

Выбрать параметры Заказать выбранное

* - разработка

Обозначение Прототип Функциональное назначение Тип корпуса Диапазон температур Напряжение питания, В Организация, бит Основные характеристики Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более UUcc,В
1676РТ015* AM27C040-150DE Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 4Мбит (512К×8 бит) 5134.64-6            
1675РТ014 1675РТ014 Постоянное запоминающее устройство информационной емкостью 1Мбит (128К×8 бит) с возможностью однократного программирования, UCC = 3,0В ÷ 3,6В 4149.36-1 от -60°С до + 125°С; 3,3B±10%     60 0,8
9000РУ6У CY7C1051D КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (512К х16 бит) 5134.64-6            
9000РУ5У - КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (256К х 32 бит) 5134.64-6            
9000РУ4У ACT-S512K32 КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 16Мбит (512К x 32 бит) 5134.64-6            
9000РУ3У ACT-S128K32 КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К х 32 бит) Н18.64-3В            
9000РУ2У ACT-S512K8 КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К х 8 бит) Н18.64-3В            
9000РУ1У CY7C1041D КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К х 16 бит) Н18.64-3В            
1669РА035 ACT-S512K8 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К x 8 бит) 5134.64-6            
1669РА025 CY7C1041D Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К x 16 бит) 5134.64-6            
1669РА015 ACT-S128K32 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К x 32 бит) 5134.64-6            
Б1623РТ1-4   Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) Кристалл
 
           
Б541РУ2-4   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1024 х 4 бит) Кристалл            
Б541РУ1-4   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4096 х 1 бит) Кристалл            
Б541РТ2-4   Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 16Кбит (2048 х 8 бит) Кристалл            
Б541РТ1-4   Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 1Кбит (256 х 4 бит) Кристалл            
М1623РТ1Б   Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) 210Б.24-1 -60 +85 °С   2048 х 8   0,04  
M1623PT1A HM6616 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) 210Б.24-1 -60 +85 °С   2048 х 8   0,04  
1666РЕ014   Энергонезависимое оперативное запоминающее устройство (FRAM) информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8) бит 4184.32-1            
9001РТ1У   Многокристальный модуль ПЗУ с однократным программированием информационной ёмкостью 512 Кбит (64К х 8) бит 5134.64-6            
1642РК2У IDT7007 ОЗУ статическое с двумя портами ввода – вывода информационной емкостью 256 Кбит (32К х 8) бит 5134.64-6            
1642РК1УБМ IDT7005 2-х портовое статическое ОЗУ информационной ёмкостью 64Кбит (8К x 8 бит) Н18.64-3В            
1642РГ1УБМ IDT7205L ОЗУ статическое (8Kx9) типа FIFO Н16.48-1В            
1642РГ1ТБМ IDT7205L ОЗУ статическое (8Кх9) типа FIFO 4183.28-4            
1642РГ1РБМ IDT7205L ОЗУ статическое (8Кх9) типа FIFO 2121.28-6            
1835РЕ2Т   Масочное ПЗУ емкостью 1 Мбит с организацией 128Кх8 4119.28-6            
1635РТ3У TMS27PC512 Постоянное запоминающее устройство информационной емкостью 512Кбит (64К×8 бит) с возможностью однократного программирования, напряжение питания - 3,0В ÷ 3,6В Н18.64-3В           напряжение питания - UCС= 3,3B+-10 %;
    динамический ток потребления – IОСС ≤ 40мА;
    ток потребления в режиме хранения - ICCS ≤ 60мкА;
    время выбора -  tCS  ≤ 120нс;
    время выборки разрешения выхода – tА(OE)  ≤60нс;
    рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С.
Стойкость к СВВФ: 7.И1 - 4Ус, 7.И6 - 6Ус, 7.И7 - 6Ус, 7.С1 - 50×5Ус, 7.С4 - 10×1Ус, 7.К1 - 5×2К,
7.К4 – 5×1К
АЕНВ.431210.147 ТУ
   
1635РТ2У   Постоянное запоминающее устройство c возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 512К и организацией (64Кх8) бит H18.64-3В            
1635РТ1У   Постоянное запоминающее устройство c возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 256 бит и организацией (32х8) бит H16.48-1B            
1635РУ3T/АТ AS7C31024 Оперативное запоминающее устройство статическое (128Кх8) 4149.36-1            

* - разработка


Задать вопрос