• Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                  15
  
  Проектная норма, мкм                          0.35
  
  Подложка:                      725КДБ0,015(100)
  
  Эпитаксиальный слой:                 15КДБ12
  
  2 ретроградных кармана
  
  Межслойный диэлектрик:
  SACVD SiO₂ + ПХ ТЭОС, мкм      1,05 мкм
  
  Подзатворный SiO2, Å                            70
  
  длина канала
  NMOS/PMOS, мкм                                0.35
  
  N&P LDD- стоки
  
  Силицид титана
  
  металл I                              Ti/AlCu / Ti /TiN
  
  шаг ПКК, мкм                                          0.8
  
  контакты 1 (заполнены W), мкм      ø 0.5
  
  шаг по металлу 1, мкм                         0.95
  
  металл 2                                           Ti/AlCu
  
  контакты 2 (заполнены W), мкм      ø 0.5
  
  шаг по металлу 2, мкм                            1.1
• Применение, элементная база: Цифровые ИМС, спецстойкие,
  Епит = 3 В
  
  NMOS:
  Vtn=0.6 В, Usd >5 В
  PMOS:
  Vtр=-0.6 В, Usd >5 B