КМОП

	Обозначение	Применение, элементная база	Характеристика процесса
	0,35 мкм; 2 ПКК; 2 металла; КМОП, ЭСППЗУ; пл. 200 мм	ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп 5 В LV NMOS: Vtn=(0.5-0,7)В Usd³12 В LV PMOS: Vtр=-(0.6-0,8)В Usd ≤-12 В HV- NMOS: Vtn=(0,4-0,7)В Usd³17 В HV- РMOS: Vtр=-(0,6-0,9)В Usd ≤-15 В	Количество фотолитографий, шт. 27 (с метками) Проектная норма, мкм 1.2 Подложка: : Эпитаксиальная структура КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100) 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 3,0/1,3 Подзатворный SiO2: низковольтные транзисторы, Å 120 высоковольтные транзисторы, Å 250 Туннельный SiO2, Å 75 Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å 250 Длина канала: низковольтные NMOS/PMOS, мкм 0.5/0.5 высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.1/1.0 N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы, шаг ПКК1, мкм 2.5 шаг по ПКК2 без контакта, мкм 1.1 Силицид контакты 1 (заполнены W), мкм 0.5 Межслойный диэлектрик 2: SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05 металл I Ti/AlCu / Ti /TiN шаг по металлу 1, мкм 1.0 Межуровневый диэлектрик SACVD SiO2+ПХО ТЭОС, мкм 0.95 контакты 2 (заполнены W), мкмø 0.5 металл 2 Ti/AlCu шаг по металлу 2, мкм 1.1
0,35 мкм; 2 ПКК; 2 металла; КМОП, ЭСППЗУ; пл. 200 мм Характеристики Тех. поддержка
	0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм	Схемы контроллеров напряжения питания Епит от 2,7 до 5,5 В NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B	Кол-во фотолитографий, шт. 17 Проектная норма, мкм 0.5 Подложка: Эпитаксиальная структура КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100) 2 кармана, Глубина в активной области, мкм 1,0 Подзатворный SiO2, Å 120 шаг ПКК, мкм 1.0 длина канала NMOS/PMOS, мкм 0.6/0.6 N и P LDD- стоки ПКК резистор Конденсаторы ПКК1 – ПКК2 Конденсаторный диэлектрик СТО, Å 300 Силицид контакты 1 (заполнены W), мкм 0.5 Межслойный диэлектрик: SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05 металл I, 2 Ti/AlCu / Ti /TiN шаг по металлу 1, мкм 1.0 шаг по металлу 2, мкм 1.1 металл 3 /Ti/AlCu контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.6 шаг по металлу 3, мкм 1.2
0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм Характеристики Тех. поддержка
	1.2 мкм КМОП ППЗУ, 2ПКК, 2Ме,Пережигаемая перемычка	КМОП БМК NMOS: Vtn=1.0B, Ic>10мА. Uпр>12 В PMOS: Vtp= 1.0B, Ic>4.0мА, Uпр>12В	Количество фотолитографий, шт. 11 Проектные нормы, мкм 1.2 Подложка: КДБ12 Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Подзатворный SiO2, Å 250-300 Межслойный диэлектрик: БФСС Длина канала:NMOS/PMOS, мкм 2.0 контакты, мкм 2.0х2.0 шаг металл 1, мкм 8 шаг металл 2, мкм 10
1.2 мкм КМОП ППЗУ, 2ПКК, 2Ме,Пережигаемая перемычка Характеристики Тех. поддержка
	1.2 мкм КМОП, 1ПКК, 2Ме	КМОП БМК NMOS: Vtn= 0.7B, Ic>11.5мА. Uпр>12 В PMOS: Vtp= 0.8B, Ic>4.5мА, Uпр>12В	Количество фотолитографий, шт. 11 Проектные нормы, мкм 1.2 Подложка: КДБ12 Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Подзатворный SiO₂, Å 250-300 Межслойный диэлектрик: БФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/1.6 шаг ПКК, мкм 2.8 контакты, мкм 1.6х1.6 шаг металл 1, мкм 3.4 шаг металл 2, мкм 3.0
1.2 мкм КМОП, 1ПКК, 2Ме Характеристики Тех. поддержка
	1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор	Часовые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 1.5В. NMOS: Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА PMOS: Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА	Количество фотолитографий, шт. 9 Проектные нормы, мкм 3,0 – 5,0 Подложка: КЭФ4.5 Глубина P-кармана, мкм 6-8 Подзатворный SiO2, Å 800 Межслойный диэлектрик СTФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 3 шаг ПКК, мкм 10 контакты, мкм 5 шаг по металлу, мкм 12
1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор Характеристики Тех. поддержка
	1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм	Цифровые ИМС средней степени интеграции для ЭНЧ и микрокалькуляторов Eпит от 1.5 В до 3 В. NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В PMOS: Vtp= -0.5 B, Usd >10 В	Количество фотолитографий, шт. 11 Проектная норма, мкм 1.6 Подложка: КДБ12, 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Подзатворный SiO2, Å 300 Межслойный диэлектрик БФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0 шаг ПКК, мкм 3.2 контакты, мкм ø 1.5 шаг металла, мкм 3.6
1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм Характеристики Тех. поддержка
	15 В,5.0 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл, несамосовмещенный затвор	Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 20В. NMOS: Vtn= 1.1 B, Usd >27 В PMOS: Vtp= -1.0 B, Usd>29 В	Количество фотолитографий, шт. 9 Проектная норма, мкм 5,0 Подложка: 460 КЭФ4.5 (100) Глубина P-кармана, мкм 10 Подзатворный SiO2, Å 950 Межслойный диэлектрик СTФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 5/6 шаг ПКК, мкм 5.5 контакты, мкм ø 2 шаг по металлу, мкм 8
15 В,5.0 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл, несамосовмещенный затвор Характеристики Тех. поддержка
	3-5 В, 0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм	Часовые ИС с Епит от 2 до 5.5 В NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B	Кол-во фотолитографий, шт. 18 Проектная норма, мкм 0.5 Подложка: Эпитаксиальная структура КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100) N карман, Глубина в активной области, мкм 1,0 Подзатворный SiO2, Å 120 шаг ПКК, мкм 1.5 длина канала NMOS/PMOS, мкм 0.6/0.6 N и P LDD- стоки ПКК резистор Конденсаторы ПКК1 – ПКК2 Конденсаторный диэлектрик СТО, Å 300 Силицид контакты 1 (заполнены W), мкм 0.6 Межслойный диэлектрик: SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05 металл I, 2 Ti/AlCu / Ti /TiN шаг по металлу 1, мкм 1.6 шаг по металлу 2, мкм 1.7 металл 3 /Ti/AlCu контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.7 шаг по металлу 3, мкм 2.2
3-5 В, 0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм Характеристики Тех. поддержка
	3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 150 мм	ИС для телефонии, заказные ИС с Eпит. от 3 В до 5 В NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >10 В PMOS: Vtр=-0.7 В, Usd >10 B	Кол-во фотолитографий, шт. 14 (16) Проектная норма, мкм 0.8 Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12, 2 кармана Глубина N/ P карманов, мкм 4/4 Межслойный диэлектрик: БФСС Подзатворный SiO2, Å 130 / 160 длина канала NMOS/PMOS, мкм 0.9/1.0 N и P LDD- стоки металл I Ti-TiN/Al-Si/TiN шаг ПКК, мкм 1.9 контакты 1, мкм ø 0.9 шаг по металлу 1, мкм 2.2 металл 2 Al-Si/TiN контакты 2, мкм ø 0.9 шаг по металлу 2, мкм 2.4
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 150 мм Характеристики Тех. поддержка
	3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 200 мм	ИМС для телефонии, заказные ИМС с Uпит от 3 до 5 В NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >10 В PMOS: Vtр=-0.7 В, Usd >10 B	Кол-во фотолитографий, шт. 14 (16) Проектная норма, мкм 0.8 Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12 2 кармана Глубина N/ P карманов, мкм 4/4 Межслойный диэлектрик: SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05 Подзатворный SiO2, Å 130 / 160 длина канала NMOS/PMOS, мкм 0.9/1.0 N и P LDD- стоки металл I Ti/AlCu / Ti /TiN шаг ПКК, мкм 1.9 контакты 1 (заполнены W), мкм 0.7 шаг по металлу 1, мкм 2.2 металл 2 /Ti/AlCu контакты 2 (заполнены W), мкм ø 0.7 шаг по металлу 2, мкм 2.4
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 200 мм Характеристики Тех. поддержка
	5 В, 1.2 мкм КМОП, 2 ПКК, 2 металла, ЭСППЗУ пл. 150 мм	ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп от 2,4 В до 6 В LV NMOS: Vtn=(0.4-0,8)В Usd?12 В LV PMOS: Vtр=-(0.5-0,9)В Usd <=-12 В HV- NMOS: Vtn=(0,3-0,6)В Usd?17 В HV- РMOS: Vtр=-(0,6-1,0)В Usd <=-15 В	Количество фотолитографий, шт. 23 (с метками) Проектная норма, мкм 1.2 Подложка: КДБ-12, 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Подзатворный SiO2: низковольтные транзисторы, Å 250 высоковольтные транзисторы, Å 350 Туннельный SiO2, Å 77 Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å 350 Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å 7000 Межуровневый диэлектрик: ПХО+SOG+ПХО Длина канала: низковольтные NMOS/PMOS, мкм 1.4/1.6 высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.6/2.6 N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы, шаг ПКК1, мкм 3.2 шаг по ПКК2 без контакта, мкм 2.4 шаг по ПКК2 с контактом, мкм 4,6 контакты-1, мкм ø 1.2 шаг по металлу 1 без контакта, мкм 3.2 шаг по металлу 2 с контактом, мкм 4,4 контакты 2, мкм ø 1.4 шаг по металлу 2 без контакта, мкм 4.4 шаг по металлу 2 с контактом, мкм 4,8
5 В, 1.2 мкм КМОП, 2 ПКК, 2 металла, ЭСППЗУ пл. 150 мм Характеристики Тех. поддержка
	5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм	Цифровые ИМС. микроконтроллеры с Епит=5 В NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B	Количество фотолитографий, шт. 16 Проектная норма, мкм 1.5 Подложка: КДБ12, 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Межслойный диэлектрик: БФСС Подзатворный SiO2, Å 250 Межслойный диэлектрик: БФСС Встроенные транзисторы в ПЗУ Скрытые контакты длина канала NMOS/PMOS, мкм 1.5 N и P LDD- стоки шаг ПКК, мкм 2.5 контакты, мкм ø 1.5 шаг по металлу, мкм 3.5
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм Характеристики Тех. поддержка
	5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла	Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В	Количество фотолитографий, шт. 14 Проектная норма, мкм 1.5 Подложка: КЭФ4.5 Глубина N/P-кармана, мкм 5/5 Межслойный диэлектрик: БФСС Межуровневый диэлектрик: ПХО Подзатворный SiO₂, Å 245 Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/2.0 N LDD- стоки шаг ПКК,мкм 3.4 контакты 1, мкм 1.54.5 шаг металл 1, мкм 6.0 контакты 2, мкм 3.04.5 шаг металл 2, мкм 9.5
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла Характеристики Тех. поддержка
	5 В, 1.5 мкм КМОП,1 ПКК, 1 Металл, ПКК- резисторы пл. 150 мм	Схемы контроллеров напряжения питания NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В PMOS: Vtp= 0.5 B, Usd >10 В	Количество фотолитографий, шт. 17 Проектная норма, мкм 1.5 Подложка: КДБ12, 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 ПKK резисторы Р-типа Биполярный вертикальный NPNтранзистор Подзатворный SiO2, Å 250 Межслойный диэлектрик: БФСС длина канала NMOS/PMOS, мкм 1.7 N и P LDD- стоки шаг ПКК, мкм 2.5 контакты, мкм ø 1.3 шаг по металлу, мкм 3.5
5 В, 1.5 мкм КМОП,1 ПКК, 1 Металл, ПКК- резисторы пл. 150 мм Характеристики Тех. поддержка
	5 В, 1.6 мкм КМОП, 2 ПКК,1 металл, ЭСППЗУ пл. 150 мм	ЭСППЗУ средней степени интеграции с Епит от 2,4 В до 6 В NMOS: Vtn=(0,65±0,25)В Usd >=12 В PMOS: Vtр=-(0,8±0,2)В Usd <=-12 В HV-NMOS: Vtn=(0,45±0,15)В Usd³17В HV-PMOS: Vtp=-(0,8±0,2)В Usd <=-16 В	Количество фотолитографий, шт. 17 Проектная норма, мкм 1.6 Подложка: КДБ-12 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Подзатворный SiO2, Å 425 Туннельный SiO2, Å 77 Межсл. диэлектрик-1: Si3N4, Å 350 Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å 7000 Встроенные транзисторы Длина канала: NMOS/PMOS низковольтные транзисторы, мкм 2.4 высоковольтные транзисторы, мкм 3.6 шаг ПКК1, мкм 3.2 шаг ПКК2, мкм 4.2 контакты, мкм ø1.2 шаг по металлу, мкм 4.4
5 В, 1.6 мкм КМОП, 2 ПКК,1 металл, ЭСППЗУ пл. 150 мм Характеристики Тех. поддержка
	5 В, 2 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл	Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В. NMOS: Vtn= 0.6/0.5 B , Usd >12 В PMOS: Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >14 В	Количество фотолитографий, шт. 11 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: КЭФ 4.5, 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 6/7 Подзатворный SiO₂, Å 425/300 Межслойный диэлектрик: БФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.5 шаг ПКК, мкм 4.5 контакты, мкм 2.4*2.4 шаг металл, мкм 8.5
5 В, 2 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл Характеристики Тех. поддержка
	5 В, 3 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл	Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В NMOS: Vtn= 0.8-1.2B, Ic>4мА. Uпр>8 В PMOS: Vtp= 0.8-1.2B, Ic>2мА, Uпр>8В	Количество фотолитографий, шт. 11 Проектные нормы, мкм 2.0 Подложка: КЭФ 4.5 Глубина N/P-кармана, мкм 6-8 Подзатворный SiO2, Å 425/300 Межслойный диэлектрик: БФСС Длина канала:NMOS/PMOS, мкм 3-4 шаг ПКК, мкм 10 контакты, мкм 4*4 шаг металл, мкм 10
5 В, 3 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл Характеристики Тех. поддержка
	КМОП, 0.35 мкм, 1ПКК, 2 металла пл. 200 мм	Цифровые ИМС, спецстойкие, Епит = 3 В NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >5 В PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >5 B	Кол-во фотолитографий, шт. 15 Проектная норма, мкм 0.35 Подложка: 725КДБ0,015(100) Эпитаксиальный слой: 15КДБ12 2 ретроградных кармана Межслойный диэлектрик: SACVD SiO₂ + ПХ ТЭОС, мкм 1,05 мкм Подзатворный SiO2, Å 70 длина канала NMOS/PMOS, мкм 0.35 N&P LDD- стоки Силицид титана металл I Ti/AlCu / Ti /TiN шаг ПКК, мкм 0.8 контакты 1 (заполнены W), мкм ø 0.5 шаг по металлу 1, мкм 0.95 металл 2 Ti/AlCu контакты 2 (заполнены W), мкм ø 0.5 шаг по металлу 2, мкм 1.1
КМОП, 0.35 мкм, 1ПКК, 2 металла пл. 200 мм Характеристики Тех. поддержка