• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.     17
  
  Проектная норма, мкм                      1.6
  
  Подложка: КДБ-12                  2 кармана
  
  Глубина N/P-кармана, мкм                5/6
  
  Подзатворный SiO2, Å                      425
  
  Туннельный SiO2, Å                            77
  
  Межсл. диэлектрик-1: Si3N4, Å         350
  
  Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å       7000
  
  Встроенные транзисторы
  
  Длина канала: NMOS/PMOS
  
  низковольтные транзисторы, мкм      2.4
  
  высоковольтные транзисторы, мкм    3.6
  
  шаг ПКК1, мкм                                      3.2
  
  шаг ПКК2, мкм                                      4.2
  
  контакты, мкм                                    ø1.2
  
  шаг по металлу, мкм                            4.4
• Применение, элементная база: ЭСППЗУ средней степени интеграции
  с Епит от 2,4 В до 6 В
  
  NMOS: Vtn=(0,65±0,25)В
  
  Usd >=12 В
  
  PMOS: Vtр=-(0,8±0,2)В    Usd <=-12 В
  
  HV-NMOS: Vtn=(0,45±0,15)В Usd³17В
  
  HV-PMOS: Vtp=-(0,8±0,2)В Usd <=-16 В