• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        14
  
  Проектная норма, мкм                        1.5
  
  Подложка:                                      КЭФ4.5
  
  Глубина N/P-кармана, мкм                  5/5
  
  Межслойный диэлектрик:               БФСС
  
  Межуровневый диэлектрик:               ПХО
  
  Подзатворный SiO₂, Å                        245
  
  Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/2.0
  
  N LDD- стоки
  
  шаг ПКК,мкм                                       3.4
  
  контакты 1, мкм                           1.5*4.5
  
  шаг металл 1, мкм                              6.0
  
  контакты 2, мкм                            3.0*4.5
  
  шаг металл 2, мкм                              9.5
• Применение, элементная база: Логические ИС малой и средней
  степени интеграции с Еп до 5 В
  NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В
  PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В