• Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.       18
  
  Проектная норма, мкм                 0.5
  
  Подложка: Эпитаксиальная структура
  КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
  
  N карман,
  
  Глубина в активной области, мкм  1,0
  
  Подзатворный SiO2, Å                 120
  
  шаг ПКК, мкм                                 1.5
  
  длина канала
  
  NMOS/PMOS, мкм                   0.6/0.6
  
  N и P  LDD- стоки
  
  ПКК резистор
  
  Конденсаторы ПКК1 – ПКК2
  
  Конденсаторный диэлектрик СТО, Å  300
  
  Силицид
  
  контакты 1 (заполнены W), мкм       0.6
  
  Межслойный диэлектрик:
  SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм       1,05
  
  металл I, 2                        Ti/AlCu / Ti /TiN
  
  шаг по металлу 1, мкм                    1.6
  
  шаг по металлу 2, мкм                    1.7
  
  металл 3                                  /Ti/AlCu
  
  контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.7
  
  шаг по металлу 3, мкм                    2.2
• Применение, элементная база: Часовые ИС с  Епит от 2 до 5.5 В
  
  NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В
  PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B