• Характеристика процесса: Подложка                                                        КОФ35,
  10 фотолитографий (контактная, двухсторонняя)
  База: диффузия бора,
  глубина, мкм                                                     35-45
  Катод: диффузия фосфора, 
  глубина, мкм                                                     15-18
  Защита p-n переходов: SiPOS, Si3N4, СТФСС
  Металлизация:Al 2,0 мкм
  Пассивация:  НТФСС+ПХО
  Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
• Применение, элементная база: Iос=2,0 А
  Uпроб=(600-800) В