• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.              4
  размер мм        1                   0. 76х0.76 - 4х4
  Подложка:                     460КЭМ0.0035 (111)
  Эпитаксиальный слой:      4.5КЭФ(0.6-0.8)
  Изоляция:   p-n переход с полевым окислом
  Металлизация  Аl + Mo-Ti-Ni-Ag
• Применение, элементная база: Кремниевые быстро действующие 
  диоды для импульсных 
  источников питания.
  U обр.В        40 – 150
  I обр.мка     < 250
  Iпр. мах. А    1 - 30