• Характеристика процесса: Эпитаксиальная структура 
  Подложка                                      КДБ 0,05 (111)
  Толщина эпитаксиального слоя, мкм    25-28
  Удельное сопротивление, Ом x см             8-11
  7 фотолитографий (контактная)
  База: ионная имплантация фосфора,
  глубина, мкм                                                4,5-7,5
  Эмиттер: диффузия бора, 
  глубина, мкм                                                1,4-2,5
  Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5
  Металлизация: Al  4,0  мкм
  Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
• Применение, элементная база: Uкб=(80-160) B
  Uкэ=(30-90) В
  Iк=(7,5-16) А
  h21э>15