• Характеристика процесса: питаксиальная структура 
  Подложка                                      КДБ 0,03 (111)
  Толщина эпитаксиального слоя, мкм    40-45
  Удельное сопротивление, Ом x см         40-50
  7 фотолитографий (контактная)
  База: ионная имплантация фосфора,
  глубина, мкм                                                   3-5,5
  Эмиттер: диффузия бора
  Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
  Металлизация: Al 1,4 мкм
  Обр. сторона: Ti-Ni-Ag-Sn-Pb-Sn
• Применение, элементная база: Uкб=(250-300) B
  Uкэ=(200-250) В
  Iк=(0,4-0,5) А
  h21э>40