• Характеристика процесса: Эпитаксиальная структура 
  Подложка                                          КДБ 0,05 (111):
  Толщина слоя, мкм                                         25-33
  Удельное сопротивление, Ом x см               10-18 
  6,7 фотолитографий (контактная)
  База: ионная имплантация фосфора,
  глубина, мкм                                                          6-8
  Эмиттер: диффузия бора, глубина, мкм  2,5-5,5
  Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5
  Металлизация: Al  4,5 мкм
  Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
• Применение, элементная база: Uкб=(60-70) B
  Uкэ=(60-70) В
  Iк=(2,0-12) А
  h21э>500