• Характеристика процесса: Подложка:                                                КОФ 102-90
  8 фотолитографий (контактная):
  База: ионная имплантация глубина, мкм   20-26
  Эмиттер:        диффузия,
  глубина, мкм                                                        10-15 
  Защита p-n перехода коллектор – база:  SiPOS
  Металлизация:  алюминий 4,5 мкм
  Радиационная обработка для обеспечения динамики.
  Матирование обратной стороны
  Обратная сторона:  напыление Ti-Ni-Ag
• Применение, элементная база: Uкэ=1500 B
  Uкэ=(700-800) В
  Iк=(5-12) А