40 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-40”
40 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-40”
- Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт 8-13
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой: 13КЭФ3.5
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.0
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 9*9
Расстояние между
транзисторами, мкм 4
Коммутация:
контакты 1, мкм 3*3
шаг 1 металл, мкм 9.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 14.0 - Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 40В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=48 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=65 Uсе=60 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=60 Uсе=60 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.
Поликремний