• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт 11-17
  Проектная норма, мкм      2.0
  Подложка:                   460КДБ10 (111)
  Скрытые слои:  7.5КЭС13/1.95КДБ350
  Эпитаксиальный слой:        14КЭФ4.0
  Изоляция:                 p-n переход
  Глубина p-базы, мкм                        2.0
  Глубина N+эмиттера, мкм               1.7
  Размер эмиттера, мкм                     9*9
  Расстояние между
  транзисторами, мкм                            4
  Коммутация:
  контакты 1, мкм                                3*3
  шаг 1 металл, мкм                            9.0
  контакты 2, мкм                               4*4
  шаг 2 металл, мкм                          14.0
• Применение, элементная база: Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 40В
  Вертикальный NPN транзистор:
  Вn=150 Uce=48 В
  Горизонтальный РNP транзистор:
  Вр=65 Uсе=60 В
  Вертикальный РNP транзистор:
  Вр=60 Uсе=60 В
  Вертикальный РNP с изолированным коллектором:
  Вр=80 Uсе=50 В
  Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
  Ме1-Ме2.
  Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.