20 В с изоляцией p-n переходом
20 В с изоляцией p-n переходом
- Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт. 13
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 5КЭС17/1.6КДБ510
Эпитаксиальный слой: 10КЭФ1,25
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.4
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 6
Расстояние между транзисторами, мкм 6
Коммутация: контакты 1, мкм 4
шаг 1 металл, мкм 13.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 12.0 - Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
I2L вентиль
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.