RU
CN
BY
EN
БиКМОП
|
Обозначение | Применение, элементная база | Характеристика процесса | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
200 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NДMOП/PДMOП высоковольтные транзисторы | Аналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 210 В Вертикальный NPN: Вп=70 Uсе=50 В NДMOП: Vtn= 2.0 B, Usd >200 В PДMOП: Vtp= -1.0 B, Usd >200 В NMOS: Vtn= 1.5 B , Usd >20 В Резисторы в слое: База NPN, Р-сток, ПКК. Емкости: ПКК-Si (SiO2 900 Å) ПКК-Al (SiO2 1600 Å) |
Кол-во фотолитографий, шт. 19 Средняя проектная норма, мкм 4.0 Подложка: 460КДБ12 (100) Скрытые слои: 30КЭС5,5/300КДБ2.0 Эпитаксиальный слой 27КЭФ8.0 Изоляция: p-n переход Глубина P-кармана, мкм 6.5 Глубина базы NДMOП, мкм 3.0 Подзатворный SiO2, Å 900 Глубина p-базы NPN, мкм 2.5 Глубина N+эмиттера, мкм 0.8 Межслойный диэлектрик СTФСС 0,55мкм+SIPOS 0.1мкм+ СTФСС 1,1мкм Длина канала по затвору: N/PДMOП, мкм 6 шаг ПКК, мкм 8 контакты, мкм 4 шаг по металлу, мкм 12 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||