200 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NДMOП/PДMOП высоковольтные транзисторы

200 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NДMOП/PДMOП высоковольтные транзисторы

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                        19

    Средняя проектная норма, мкм                  4.0

    Подложка:                                 460КДБ12 (100)

    Скрытые слои:                30КЭС5,5/300КДБ2.0

    Эпитаксиальный слой                      27КЭФ8.0

    Изоляция:                                      p-n переход

    Глубина P-кармана, мкм                              6.5

    Глубина базы NДMOП, мкм                           3.0

    Подзатворный SiO2, Å                                   900

    Глубина p-базы NPN, мкм                              2.5

    Глубина N+эмиттера, мкм                             0.8

    Межслойный диэлектрик  СTФСС 0,55мкм+SIPOS 0.1мкм+ СTФСС 1,1мкм

    Длина канала по затвору:

    N/PДMOП, мкм                                                   6

    шаг ПКК, мкм                                                     8

    контакты, мкм                                                   4

    шаг по металлу, мкм                                        12 
  • Применение, элементная база: Аналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 210 В

     

    Вертикальный NPN:

    Вп=70 Uсе=50 В

    NДMOП: Vtn= 2.0 B,

    Usd >200 В

    PДMOП: Vtp= -1.0 B,

    Usd >200 В

    NMOS: Vtn= 1.5 B , Usd >20 В

     

    Резисторы в слое:

    База NPN, Р-сток, ПКК.

     

    Емкости: ПКК-Si (SiO2 900 Å)

    ПКК-Al (SiO2 1600 Å)