• Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.      15
  
  Проектная норма, мкм              2.5
  
  Подложка:                           КДБ 80
  
  Изоляция:                           LOCOS
  
  Глубина P-кармана, мкм           6.5
  
  Глубина N-кармана, мкм           4.5
  
  Глубина базы NДMOП, мкм       2.4
  
  Подзатворный SiO2, Å              600
  
  Межслойный диэлектрик
  СТФСС, мкм                               0,6
  
  Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0
  
  контакты, мкм                       2.0х2.0
  
  шаг металл 1, мкм                         8
  
  шаг металл 2, мкм                       10
• Применение, элементная база: Низковольтные транзисторы
  
  NMOП: Vtn= 1.8 B , Usd >16 В
  
  PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >16 В
  
  NPN: h21э = 100-300
  
  Резисторы в слое:
  
  ПКК 1 = 20-30 Ом/кв.
  
   
  
  Высоковольтные транзисторы
  
  NДMOП: Vtn= 1.0-1.8 B , Usd>=500 В
  
  PДMOП: Vtp= 0.7-2.0 B , Usd >=700 В