90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы

90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы

90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы
  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.   19

    Проектная норма, мкм            3.0

    Подложка:460КДБ12 (100)

    Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0

    Эпитаксиальный слой 10КЭФ1.5

    Изоляция:                  p-n переход

    Глубина P-кармана, мкм         6.5

    Глубина базы NДMOП, мкм     2.5

    Подзатворный SiO2, Å  750

    Глубина p-базы NPN, мкм       2.5

    Глубина N+эмиттера, мкм       0.5

    Межслойный диэлектрик      
    БФСС, мкм                                0,8

    Длина канала по затвору:
    N/PMOП, мкм                             ø 4

    шаг ПКК, мкм                                7

    контакты, мкм                               2

    шаг по металлу, мкм                       8
  • Применение, элементная база:
    Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 В

    Вертикальный NPN:
    Вп=50 Uсе=20 В

    Горизонтальный PNP:
    Вр=25 Uсе=20 В

    LNДMOП: Vtn= 2.0 B,
    Usd >90 В

    LPДMOП: Vtp= -1.4 B,
    Usd >90 В

    NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В

    PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 В

    VNДMOП: Vtn= 2.0 B,
    Usd >70 В

    Резисторы в слое:
    База NДMOП, Р-сток, ПКК.

    Емкости: ПКК-Si (SiO2 750 Å)

    ПКК-Al (SiO2 8000 Å)