МЕНЮ Высокие технологии для лучшей жизни
RU
Выбрать язык
CN BY EN

Транзисторы

Меню раздела Выбрать параметры Заказать выбранное
Обозначение Прототип Функциональное назначение Тип корпуса fгр, МГц h21е Ic max, A Iк max, мА Полярность P max, Вт Рк max, Вт Rси, Oм Uэб max, В Uкб max, В Uкэ max, В Uкэ нас, В Uси max, В Uзи max, В Uзи пор, В
2П7234А-5     б/к     -17     150   0,22         -100 ± 20 -2,0 ÷ -4,0
2П7234А     КТ-97В     -17     150   0,22         -100 ±20 -2,0 ÷ -4,0
2П7209А     КТ-97В     -19     150   0,2         -100 ±20 -2,0 ÷ -4,0
КТД8303А-5     б/к   >1000   12000 NPN   30   5 200 200 1,3      
КТ938Б-2     б/к 1800     180 NPN   1,5   2,5 28          
КТ918Б-2     б/к 1000     250 NPN   2,5   2,5 30          
КТ918А-2     б/к 800     250 NPN   2,5   2,5 30          
КТ8304Б-5     б/к   >250   8000 NPN   30   5   80 0,5      
КТ8304А-5     б/к   >200   8000 NPN   30   5   160 0,5      
КТ8301А-5     б/к   >100   10000 NPN   30   5   160 0,4      
КТ637Б-2     б/к 800     200 NPN   1,5   2,5 30          
КТ637А-2     б/к 1300     200 NPN   1,5   2,5 30          
КТ634Б-2     б/к 1500     150 NPN   1,2   3 30          
КТ625АМ-2     б/к 200 20...200   1000 NPN   1   4 60 40 1,2      
КТ625А-2     б/к 200 20...200   1000 NPN   1   4 60 40 1,2      
КТ624АМ-2     б/к 450 30...180   1000 NPN   1   4 30 30 0,9      
КТ624А-2     б/к 450 30...180   1000 NPN   1   4 30 30 0,9      
КТ607Б-4     б/к 700     150 NPN   1,5   4 30 30        
КТ607А-4     б/к 700     150 NPN   1,5   4 40 35        
КТ385БМ-2     б/к 200 20...100   300 NPN   0,2...0,3   4 65 65 0,4      
КТ385АМ-2     б/к 200 40...200   300 NPN   0,2...0,3   4 65 65 0,4      
КТ385А-2     б/к 200 40...200   300 NPN   0,2...0,3   4 65 65 0,4      
КТ384АМ-2     б/к 450 30...180   300 NPN   0,2...0,3   4 30 30 0,6      
КТ384А-2     б/к 450 30...180   300 NPN   0,2...0,3   4 30 30 0,6      
IZ024N IRFU024N N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А б/к                              
IWP5NK80Z STP5NK80Z N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А TO-220/3                              
IZ11N90**   N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А б/к                              
IZ9N90**   N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А б/к                              
IZ10N80**   N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А б/к                              
IZ3N80**   N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А б/к                              

Задать вопрос