• Прототип: IRF830
• Тип корпуса: б/к
• Диапазон температур: -60 ÷ +125°С
• Uзи пор, В: 2,0÷4,5
• Ic max, A: 4,5
• P max, Вт: 75
• Rси, Oм: 1,65
• Uзи max, В: ±20
• Uси max, В: 500