Запоминающие устройства

КР537РУ25Б

  • Прототип: HM65161-5
  • Тип корпуса: 239.24-2
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50

КР537РУ25А

  • Прототип: CY6116-55C
  • Тип корпуса: 239.24-2
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50

КР537РУ10

  • Прототип: HM3-6516-5
  • Тип корпуса: 239.24-2
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8

INF8582EN-2

  • Прототип: PCF8582E-2P
  • Тип корпуса: 2101.8-A
  • Организация, бит: 2K (256x8)
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 10
  • Напряжение питания, В: 4,5-5,5
  • Частота, кГц: 100
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,6/2,5