Интегральные микросхемы
| Обозначение | Прототип | Функциональное назначение | Тип корпуса | Диапазон температур | Основные характеристики | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
К1482ФП1Р | TISP61089P | Схема защиты телефонных линий от перенапряжений | 2101.8А (DIP-8) | -45 +85 °С | Uзс.макс.=-150В, Uпр.=2,0В, Iуд.=150мА, Iудар.н.ос.=5,0А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
К1482ФП1Т | TISP61089D | Схема защиты телефонных линий от перенапряжения | 4303Ю.8-А (SO-8) | -45 +85 °С | Uзс.макс.=-150В, Uпр.=2,0В, Iуд.=150мА, Iудар.н.ос.=5,0А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||